広いSOAと高い誤点弧耐量を有する1200V級5V駆動CSTBTTM

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD21056,SPC21146

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2021/10/18

タイトル(英語): Self-turn-on-free 1200V scaled CSTBTTM driven by 5V gate voltage with wide SOA

著者名: 西 康一(三菱電機),月東 綾則(三菱電機),田中 香次(三菱電機),古川 彰彦(三菱電機)

著者名(英語): Koichi Nishi(Mitsubishi Electric Corporation),Ayanori Gatto(Mitsubishi Electric Corporation),Koji Tanaka(Mitsubishi Electric Corporation),Akihiko Furukawa(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: ＩＧＢＴ|ＣＳＴＢＴ|スケーリング|誤点弧|５Ｖ駆動|IGBT|CSTBT|scaling|self-turn-on|5V gate

要約(日本語): スケーリングIGBTを用いた5V駆動技術は、オン電圧およびゲートドライバ消費電力低減に有効である。本論文では、高い誤点弧耐量を有する1200V級5V駆動CSTBTの実証結果を報告する。狭メサ、狭エミッタパターンにより低いオン電圧と高いSOAを実現し、低い容量比により高い誤点弧耐量を実現した。

要約(英語): Scaled IGBT for 5V gate voltage operation is a key technology to reduce the VCEsat and the driver power consumption. In this paper, we experimentally demonstrate a self-turn-on free 1200V scaled CSTBTTM driven by 5V gate voltage. By using narrow mesa and fine n+-emitter pattern, low VCEsat and wide SOA was obtained. Also, high self-turn-on immunity even without negative gate bias was achieved owing to low Cres/Cies ratio.

本誌: 2021年10月21日-2021年10月22日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 13-17 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,031 Kバイト