IGBTのターンオン電圧テールの抑制

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD21057,SPC21147

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2021/10/18

タイトル(英語): Suppression of Turn-on Voltage Tail of IGBTs

著者名: 伊倉 巧裕(富士電機),中川 明夫(中川コンサルティング事務所)

著者名(英語): Yoshihiro Ikura(Fuji Electric),Akio Nakagawa(Nakagawa consulting office)

キーワード: シリコン|ＩＧＢＴ|ターンオン|電圧テール|Silicon|IGBT|turn-on|voltage tail

要約(日本語): IGBTのターンオン時にコレクタ電圧のdV/dtが低くなる現象（ターンオン電圧テール）の発生メカニズムを考察し、抑制方法を検討した結果を報告する。コレクタ電圧が低下するのに伴い、ゲートトレンチ周辺の電位も低下し、ゲート電圧を下回ることで、低下幅が大きくなり、ゲート・コレクタ間容量が増大するため、コレクタ電圧のdV/dtが低くなる。トレンチ周辺の電位の低下を小さくすることでターンオン電圧テールを抑制できる。

要約(英語): In this work, we report detailed mechanism of turn-on voltage tail of IGBT and show solutions. As collector voltage decreases, the electric potential around the gate trench decreases. After the electric potential around the gate trench decreases below the gate voltage, the electric potential decreases largely and the gate-collector capacitance increases and dV/dt of collector voltage decreases._x000D_ To suppress the turn-on voltage tail, the electric potential decrease should be reduced.

本誌: 2021年10月21日-2021年10月22日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 19-23 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,219 Kバイト