弱反転領域動作により温度係数を向上させた0.607 mV/K PTAT電圧発生回路

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT21044

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2021/11/05

タイトル(英語): PTAT voltage generation circuit with improved temperature coefficient 0.607 mV/K at weak inversion region operation

著者名: 小林 寛(明治大学),木下 功喜(明治大学),関根 かをり(明治大学),和田 和千(明治大学)

著者名(英語): Hiroshi Kobayashi(Meiji University),Kouki Kinoshita(Meiji University),Kawori Sekine(Meiji University),Kazuyuki Wada(Meiji University)

要約(日本語): PTAT電圧発生回路は、温度係数の向上、低消費電力化が課題である。本稿では、弱反転領域動作のソース接地増幅回路を用いて温度係数を向上したPTAT電圧発生回路を提案する。提案回路は、弱反転領域動作のため低消費電力動作が期待される。0.18um Bulk CMOSプロセスを用いて試作された提案回路の温度係数は0.607 mV/Kであり、従来PTAT電圧発生回路の温度係数0.230 mV/K より高くなっている。また、提案回路の消費電力とノイズの影響についても検討する。

要約(英語): For PTAT voltage generation circuits, it is an issue to improve the temperature coefficient and to reduce the power consumption. In this paper, we propose a PTAT voltage generator circuit with improved temperature coefficient by using a common source amplifier circuit operating in subthreshold region . The temperature coefficient of the proposed circuit fabricated in 0.18um bulk CMOS process is 0.607 mV/K, which is higher than that of the conventional PTAT voltage generator circuit, 0.230 mV/K. The power consumption and noise effects of the proposed circuit are also discussed.

本誌: 2021年11月8日-2021年11月9日電子回路研究会

本誌掲載ページ: 5-9 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 535 Kバイト