弱反転動作を活用したCMOSべき乗変換ICの電源電圧の低減と試作評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT21054

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2021/11/05

タイトル(英語): Reducing Power Supply Voltage and Prototype evaluation for CMOS Exponentiation Conversion IC that Effetively Utilizes Weak Inversion Operation.

著者名: 西山 直哉(東洋大学大学院),松井 文也(東洋大学),佐野 勇司(東洋大学)

著者名(英語): Naoya Nishiyama(Toyo University Graduate School),Fumiya Matsui(Toyo University),Yuji Sano(Toyo University)

キーワード: 信号変換回路|弱反転|べき乗関数|非線形補正|低電源電圧|Signal conversion circuit|Subthreshold|Exponentiation function|Nonlinearity compensation| Low power supply voltage

要約(日本語): センサー等の非線形性補正に適した「信号べき乗変換回路」をMOSFETの弱反転動作を活用した小回路により提案してきた。低電圧化により低下する電圧利得を容易に増加できるトランスコンダクタンス回路の提案による入出力信号電圧の並列化により、電源電圧を6.3Vから3.3Vに低減した。試作ICの測定により、3.3Vにおいてべき乗変換特性を実現していることを確認した。

要約(英語): In order to compensate non-linearity of any electronic devices, we have proposed small scale exponentiation conversion circuit by utilizing subthreshold operation of the MOSFET up to now. In this paper, we proposed a transconductance circuit that can increase the voltage gain, which decreases with lower voltage. By parallelizing the input and output signal voltages with this circuit, the maximum exponent value was secured to be 2.9, which is equivalent to the conventional value. By measuring the prototype IC, we confirmed that the exponentiation conversion characteristics was realized at 3.3V.

本誌: 2021年11月8日-2021年11月9日電子回路研究会

本誌掲載ページ: 63-68 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 766 Kバイト