放射光を活用したデバイス表面・界面オペランドイメージング分析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM21001

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2021/11/15

タイトル(英語): Operando spectral imaging analysis of surfaces and interfaces in device structures using synchrotron X-rays

著者名: 永村 直佳(物質・材料研究機構/JSTさきがけ/東京理科大学)

著者名(英語): Naoka Nagamura(National Institute for Materials Science)

キーワード: 分析技術|光電子分光|イメージング|オペランド計測|原子層|トランジスタ|Analysis|XPS|Imaging|Operando measurement|Atomic layer material|Transistor

要約(日本語): 各種素子の微細化に伴い、表面や界面、欠陥といった局所物性がデバイス特性に与える影響は益々顕著になっている。デバイス構造において、動作下での局所物性を可視化する手法として、我々は放射光軟X線をプローブとした高空間分解能オペランド走査型光電子顕微鏡装置を開発してきた。本講演では、グラフェンや遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた原子層トランジスタやGAN-HEMTなど、薄膜ヘテロ構造デバイスの電子状態分析例を紹介する。

要約(英語): Local properties due to surfaces, interfaces, and defects has been more and more important for macroscopic device characteristics accompanying miniaturization of semiconductor devices. We developed an operando scanning photoelectron microscopy system with high special resolution (~ 70 nm) using synchrotron soft X-rays to investigate spatio-temporal electronic properties in devise structures under operation. Here we introduce the results of spectromicroscopy analysis for thin-film hetero structures in various devices such as graphene field effect transistors(FETs), TMD tunnel FETs, and GaN-HEMT

本誌: 2021年11月18日-2021年11月19日電子材料研究会-1

本誌掲載ページ: 1-3 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 439 Kバイト