酸化物半導体の低温形成技術とフレキシブルデバイス応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM21005

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2021/11/15

タイトル(英語): Low-temperature synthesis of oxide semiconductors and their application to flexible devices

著者名: 曲 勇作(島根大学),古田 守(高知工科大学),葉 文昌(島根大学)

著者名(英語): Yusaku Magari(Shimane University),Mamoru Furuta(Kochi University of technology),Wenchang Yeh(Shimane University)

キーワード: 酸化物半導体|水素化ＩＧＺＯ|薄膜トランジスタ|Ｓｈｏｔｔｋｙダイオード|ＭＥＳ－ＦＥＴ|フレキシブルデバイス|Oxide semiconductor|Hydrogenated IGZO|Thin-film transistor|Schottky diode|MES-FET|Flexible device

要約(日本語): 非晶質酸化物半導体は室温スパッタ成膜可能なことからフレキシブルデバイスの半導体材料として期待されている。しかし、良好なデバイス性能を確保するには300℃程度の熱処理が不可欠であり、低温化の壁となっている。今回、酸化物半導体の低温(150℃)形成手法および、薄膜トランジスタなどのデバイス応用について報告する。

要約(英語): Amorphous oxide semiconductors (AOSs), particularly In-Ga-Zn-O (IGZO), have received much attention due to their superior electrical properties (μFE > 10 cm2V－1s－1) even when deposited at room temperature. Therefore, they are considered to be promising in the development of future flexible devices. However, a thermal annealing step at around 300 °C is necessary to reduce the defects and achieve the desired electrical properties for the devices. In this work, we propose a novel method for fabricating high-quality oxide-based devices at 150 °C.

本誌: 2021年11月18日-2021年11月19日電子材料研究会-1

本誌掲載ページ: 13-16 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 535 Kバイト