歪み導入したアモルファスBドープIn2O3透明導電膜の機械的柔軟性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM21008

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2021/11/15

タイトル(英語): Mechanical flexibility of strain-induced amorphous B-doped In2O3 transparent conducting films

著者名: 森 峻(工学院大学),一関 夢希也(工学院大学),渡辺 幸太郎(工学院大学),村野 海渡(工学院大学),大榮 海斗(工学院大学),相川 慎也(工学院大学)

著者名(英語): Shun Mori(Kogakuin University),Yukiya Ichinoseki(Kogakuin University),Kotaro Watanabe(Kogakuin University),Kaito Murano(Kogakuin University),Kaito Oe(Kogakuin University),Shinya Aikawa(Kogakuin University)

キーワード: 透明導電膜|フレキシブル|ホウ素ドーピング|アモルファス|Transparent conductive film|flexible|boron doping|amorphous

要約(日本語): 次世代のエネルギー・情報デバイスには、室温成膜可能なフレキシブル透明導電膜が求められている。しかし、現在のITOは室温プロセスに限界がある。一方，In2O3系透明導電膜は，ドーパントのイオン半径を小さくすることで電子移動度が向上する。そこで我々は， イオン半径が非常に小さいBに着目し、BをドープしたIBOを開発した。本研究では、最適なB濃度を明らかにし、フレキシブル透明導電膜としての可能性を議論する。

要約(英語): Flexible transparent conductive films that can be deposited at room temperature are demanded for next-generation energy and information devices. However, since the current ITO has a limitation in terms of room temperature process. On the other hands, In2O3-based transparent conductive film improves its carrier mobility by reducing ionic radius of dopant. Based on this work, we focused on B, which has very small ionic radius, and have developed B-doped In2O3. In this study, we optimize the B concentration and discuss its potential as a flexible transparent conductive film.

本誌: 2021年11月18日-2021年11月19日電子材料研究会-1

本誌掲載ページ: 25-28 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 488 Kバイト