n型SnOx薄膜の窒化による電荷移動と伝導型変換

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM21009

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2021/11/15

タイトル(英語): Charge transfer and conduction type conversion by nitridation of n-type SnOx thin films

著者名: 渡辺 幸太郎(工学院大学),川口 拓真(工学院大学),相川 慎也(工学院大学)

著者名(英語): Kotaro Watanabe(Univ. of Kogakuin),Takuma Kawaguchi(Univ. of Kogakuin),Shinya Aikawa(Univ. of Kogakuin)

キーワード: ｎ型ＳｎＯ２|伝導型変換|窒素アニール|電荷移動|酸化物半導体|薄膜|n-type SnO2|Conduction type conversion|N2 annealing|Charge transfer|Oxide semiconductor|Thin film

要約(日本語): 本研究では，SnOx薄膜を成膜後にホール輸送への変換機構を検討するため，成膜後の膜に対し N2アニールを行ったときの膜への効果を調査した．ホール測定の結果から，窒素雰囲気下アニール600℃の条件では，p型挙動を示すSnOx薄膜が顕著に多くなることがわかった．XPS解析から，SnO2に結合するO2-がN3-に置換していることが示唆され，その結果ホール生成によるp型伝導が生じたと考えられる．

要約(英語): In this study, we focused on N doping. N is expected for appropriate acceptor in SnOx because of the number of valence electrons between oxygen and nitrogen are different, and also those ionic radii are almost similar. How we do this, partial nitridation is carried out by annealing in N2. Hall measurement and XPS spectrum revealed p-type conversion by N atoms successfully incorporated into SnOx film by annealing. This means the fabrication condition of p-type SnO is expanded as well.

本誌: 2021年11月18日-2021年11月19日電子材料研究会-1

本誌掲載ページ: 29-32 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 470 Kバイト