CaF2とコスパッタ成膜したIn2O3透明導電薄膜の 光学的および電気的特性評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM21010

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2021/11/15

タイトル(英語): Electrical and Optical Characterization of In2O3 Transparent Conductive Film Co-sputtered with CaF2

著者名: 大榮 海斗(工学院大学),森 峻(工学院大学),渡辺 幸太郎(工学院大学),相川 慎也(工学院大学)

著者名(英語): Kaito Oe(Kogakuin University),Shun Mori(Kogakuin University),Kotaro Watanabe(Kogakuin University),Shinya Aikawa(Kogakuin University)

キーワード: 透明導電膜|酸化インジウム|フッ化カルシウム|Transparent conductive film|In2O3|CaF2

要約(日本語): 電子機器の高品位化に伴って，高透過率かつ低抵抗の透明導電膜が求められている．本研究では， In2O3へのドーパントとして透明性が高く，安全なCaF2に着目した．最適条件で作製した膜は、抵抗率4×10－4Ωcm，可視光での平均透過率81.4%を得た．その原因は，Ca-O結合によるIn-Oへの酸素空孔形成が促進された結果，抵抗率が減少したと考えられる．XPSにより膜内での結合状態の詳細を議論する．

要約(英語): Transparent conductive films with high transmittance and low resistivity are demanded for electronic devices. In this study, we focused on CaF2 as a dopant for In2O3 and investigated the role of Ca and F in the film. The resistivity and average transmittance in the visible region of 3.1 × 10-4 Ωcm and 83.1 % were obtained, respectively. XPS analysis revealed that the density of oxygen vacancy increased by incorporation of Ca species based on the stronger bond-dissociation energy than In-O, thus, electron concentration was increased. On the other hand, F species did not work as dopant in our doping system because of strong binding energy of Ca-F.

本誌: 2021年11月18日-2021年11月19日電子材料研究会-1

本誌掲載ページ: 33-36 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,052 Kバイト