半導体デバイス製造のためのレーザー材料プロセシングの研究

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM21027

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2021/11/27

タイトル(英語): Laser material processing for semiconductor device fabrication

著者名: 池上 浩(九州大学),片山 慶太(九州大学),菊地 俊文(九州大学),水谷 彬(九州大学)

著者名(英語): Hiroshi Ikenoue(Kyushu University),Keita Katayama(Kyushu University),Toshifumi Kikuchi(Kyushu University),Akira Mizutani(Kyushu University)

キーワード: レーザープロセシング|半導体材料|半導体デバイス|ディスプレイ|パワーデバイス|ＡＩ|Laser Processing|Semiconductor Material|Semiconductor Device|Display|Power Device|AI

要約(日本語): 我々は半導体デバイス製造技術の発展に貢献するため、様々なレーザー材料改質プロセスに取り組んできた。本講演では「低温多結晶薄膜の結晶成長制御によるトランジスタ特性の改善」「レーザーアニール法を用いた低温多結晶Si薄膜の突起平坦化」，及び「レーザードーピング法による4H-SiC低抵抗コンタクトの形成」について報告し、また、AI解析による半導体デバイス特性の推定結果についても報告する。

要約(英語): In the industrial field of semiconductors, material innovations are crucial to fabricate high-performance semiconductor devices. Accomplishing these material innovations during or after the post-COVID-19 world is vital for recovering from the pandemic. _x000D_ In this study, we report the following contributions in processing laser material for the fabrication of semiconductor devices: a) controlling the crystal growth of low-temperature polycrystalline silicon (LTPS) thin films to improve their electrical characteristics and b) development of low contact resistance 4H-SiC via laser doping._x000D_

本誌: 2021年11月30日電子材料研究会

本誌掲載ページ: 25-29 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,220 Kバイト