有機酸とAｒーＧＣＩＢ照射を用いたＳｉＯ２の原子層エッチング

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD21071

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2021/12/03

タイトル(英語): Atomic Layer Etching of SiO2 by Ar-GCIB irradiation on organic acid adsorbed surface

著者名: 藤原 怜輝(兵庫県立大学),竹内 雅耶(兵庫県立大学),豊田 紀章(兵庫県立大学)

著者名(英語): Reki Fujiwara(University of Hyogo),Masaya Takeuchi(University of Hyogo),Noriaki Toyoda(University of Hyogo)

キーワード: ガスクラスターイオンビーム|原子層エッチング|ナノプロセス|GCIB|ALE|nanoprocess

要約(日本語): 本研究では、各有機酸ガスを用いてガスクラスターイオンビームによるSiO2の原子層エッチングを試みた。その結果、一サイクル当たり0.3 nmの加工深さでエッチングが可能なことを明らかにした。

要約(英語): In this study, we attempted atomic layer etching of SiO2 by gas cluster ion beam using each organic acid gas. As a result, it was found that the etching was possible with a processing depth of 0.3 nm per cycle.

本誌: 2021年12月6日光・量子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 31-33 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 975 Kバイト