IBAD基板を用いたFF-MOD法RE123薄膜の作製

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MC21011,ASC21011

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 金属・セラミックス/【B】電力・エネルギー部門 超電導機器合同研究会

発行日: 2021/12/04

タイトル(英語): Synthesis of RE123 thin films on IBAD substrate by FF-MOD method

著者名: 瀬川 雄大(青山学院大学大学院),元木 貴則(青山学院大学),金泉 莉大(青山学院大学大学院),小澤 美弥子(青山学院大学),大崎 瑛介(青山学院大学),中村 新一(ティーイーピー㈱),下山 淳一(青山学院大学)

著者名(英語): Yuta Segawa(Aoyama Gakuin University),Takanori Motoki(Aoyama Gakuin University),Rio Kanaizumi(Aoyama Gakuin University),Miyako Kozawa(Aoyama Gakuin University),Eisuke Osaki(Aoyama Gakuin University),Shin-ichi Nakamura(TEP),Jun-ichi Shimoyama(Aoyama Gakuin

キーワード: ＲＥ１２３薄膜|臨界電流特性|フッ素フリー有機金属塗布熱分解法|エピタキシャル成長|ＩＢＡＤ基板|複数回焼成法|RE123 thin film|Critical current property|fluorine-free metal organic decomposition|epitaxial growth|IBAD substrate|multiple sintering method

要約(日本語): RE123の薄膜を低コストで製造する方法として、FF-MOD法が知られているが、作製した薄膜の臨界電流（Ic）は、他の方法で作製した薄膜と比較して低い。本研究では、複数回焼成法を用いることで、Y123薄膜の膜厚を増加させ、Icを向上させることを試みた。 そのため、IBAD基板上での最適な焼成条件を検討した。焼成条件の最適化により、Icは膜厚の増加とともに増加し、最大で180 A cm-1を超えるIc(77 K, ~0 T)が得られたのは2.4 μmまでであった。

要約(英語): The fluorine-free metal organic decomposition (FF-MOD) method is known to be a low-cost method for manufacturing RE123 thin films. However, the critical current (Ic) of the FF-MOD processed films is lower than that of the films prepared by other methods. We attempted to enhance Ic of FF-MOD processed films by incresing film-thickness without degrading bi-axial orientation of the films by adopting multiple sintering method in this study. The optimal growth conditions for Y123 thin films with increasing film-thicknesses prepared on IBAD substrates were investigated in detail. Through the optimization of the growth conditions, Ic monotonically increases with an increase in the film-thickness up to ~2.4 μm, which exhibited the highest Ic (77 K, ~0 T) exceeding 180 A cm-1.

本誌: 2021年12月7日金属・セラミックス/超電導機器合同研究会

本誌掲載ページ: 9-14 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,797 Kバイト