FF－MOD法RE123薄膜における積層欠陥制御

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MC21012,ASC21012

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 金属・セラミックス/【B】電力・エネルギー部門 超電導機器合同研究会

発行日: 2021/12/04

タイトル(英語): Control of stacking faults in RE123 thin films prepared by FF-MOD method

著者名: 金泉 莉大(青山学院大学),元木 貴則(青山学院大学),中村 新一(青山学院大学),下山 淳一(青山学院大学)

著者名(英語): Rio KANAIZUMI(Aoyama Gakuin University),Takanori MOTOKI(Aoyama Gakuin University),Shin-ichi NAKAMURA(Aoyama Gakuin University),Jun-ichi SHIMOYAMA(Aoyama Gakuin University)

キーワード: 超伝導|薄膜|ＲＥ１２３|ＲＥＢＣＯ|臨界電流特性|ＭＯＤ法|superconductivity|Thin films|RE123|REBCO|Critical current properties|MOD method

要約(日本語): 最近の研究より、FF-MOD法により作製した薄膜に対して含水蒸気酸素気流中、300°C以上で後熱処理を行うことでRE123の類縁物質であるREBa2Cu4O8(RE124)型の積層欠陥が生成し、熱処理条件（温度, 時間, 水蒸気分圧）を制御することによって欠陥量が制御可能であることがわかってきた。そのため、本研究ではRE123薄膜に導入する積層欠陥の制御による高Jc化を目的とし、焼成後のRE123薄膜に対して200°C以下の低温熱処理を行い、結晶性や超伝導特性を評価した。

要約(英語): Recent studies have shown that YBa2Cu4O8(Y124)-type stacking faults, which are the family compounds of Y123, are generated in Y123 thin films through post-annealing at above 300°C in flowing steam-containing oxygen, and the amount of defects can be controlled by varying the annealing conditions (temperature, duration, and partial pressure of water vapor). In the present study, we have performed low temperature post-annealing for FF-MOD processed RE123 thin films below 200°C to control the amount of stacking faults introduced to the films for achieving higher Jc.

本誌: 2021年12月7日金属・セラミックス/超電導機器合同研究会

本誌掲載ページ: 15-19 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,315 Kバイト