Co-Zr-Nb膜を用いたクロストーク抑制素子の挿入損失の低減に関する検討
Co-Zr-Nb膜を用いたクロストーク抑制素子の挿入損失の低減に関する検討
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: MAG21136
グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会
発行日: 2021/12/13
タイトル(英語): An Investigation on Insertion Loss Reduction of Crosstalk Suppressor Using Co-Zr-Nb Film
著者名: 小林 拓真(秋田大学),室賀 翔(秋田大学),田中 元志(秋田大学),遠藤 恭(東北大学),枦 修一郎(東北学院大学),石山 和志(東北大学),直江 正幸(電磁材料研究所)
著者名(英語): Takuma Kobayashi(Akita University),Sho Muroga(Akita University),Motoshi Tanaka(Akita University),Yasushi Endo(Tohoku University),Shuichiro Hashi(Tohoku Gakuin University),Kazushi Ishiyama(Tohoku University),Masayuki Naoe(Research Institute for Electromagn
キーワード: クロストーク|挿入損失|マイクロストリップ線路|磁性膜|負の透磁率|Crosstalk|Insertion loss|Microstrip line|Magnetic film|Negative permeability
要約(日本語): 電子機器内の配線間の誘導クロストークを抑制する手法として,磁性膜の負の透磁率の利用が提案されている。しかし,その挿入損失については検討されていない。本研究では,Co-Zr-Nb膜を配置した2本の平行マイクロストリップ線路の磁性膜の配置や寸法を変化させたときのクロストーク抑制効果と挿入損失の関係について検討した。その結果,クロストーク抑制効果を保ちつつ挿入損失を低減するための磁性膜の設計指針構築の可能性を示した。
要約(英語): Use of magnetic films with negative permeability have been proposed as an inductive crosstalk noise suppressors between lines in electronic devices. However, there are few studies on its insertion loss. In this study, the relationship between the crosstalk suppression and the insertion loss of two parallel microstrip lines with Co-Zr-Nb films was investigated with changing the position and size of the magnetic films. The result indicates the possibility to develop a design guideline to reduce the insertion loss with keeping the suppression level.
本誌掲載ページ: 9-13 p
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,065 Kバイト
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