バーチャルグランド構造を有する断熱的Fin-FET 10T-SRAMの評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT21078

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2021/12/20

タイトル(英語): Evaluation on Adiabatic Fin-FET 10T-SRAM with virtual Ground Structure

著者名: 伊藤 凛太郎(岐阜大学),高橋 康宏(岐阜大学)

著者名(英語): Itoh Rintaro(Gifu University),Takahashi Yasuhiro(Gifu University)

キーワード: 断熱的論理|Ｆｉｎ－ＦＥＴ|ＳＲＡＭ|ＳＮＭ|低消費電力|adiabatic logic|Fin-FET|SRAM|SNM|low power

要約(日本語): 本論文は以前提案した45 nm FinFET プロセスを用いた低消費電力モード(LP モード)の断熱的論理動作FinFET 10T-SRAMの評価を検討している。SRAM の評価指標として, 消費エネルギー，各SNM，書込速度，読込速度のシミュレーション計測し，また，これらの評価指標をモンテカルロシミュレーションすることでばらつき評価を行った。加えて，温度特性の評価のために上記のモンテカルロシミュレーションを-25 ℃，25 ℃．125 ℃の3 種類の温度条件で実施した。

要約(英語): This paper examines the evaluation of our　previously proposed adiabatic Fin-FET 10T-SRAM　which is operated in low power consumption mode　(LP mode). As evaluation indexes of SRAM, energy　consumption, each static noise margin (SNM),　write/read time were simulated and measured, and　these evaluation indexes were evaluated by Monte　Carlo simulation. In addition, the Monte Carlo　simulation was carried out under there temperature　conditions: -25 , 25 and 125 deg-C.

本誌: 2021年12月23日-2021年12月24日電子回路研究会

本誌掲載ページ: 63-67 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 899 Kバイト