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アクティブインダクタを用いたRGC TIAの設計と検討

アクティブインダクタを用いたRGC TIAの設計と検討

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT21090

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2021/12/22

タイトル(英語): A Design Examination of RGC Trans-Impedance Amplifier Using Active Inductor

著者名: 福浦 拓実(岐阜大学),高橋 康宏(岐阜大学)

著者名(英語): Fukuura Takumi(Gifu University),Takahashi Yasuhiro(Gifu University)

キーワード: トランスインピーダンスアンプ|RGC|TIA|アクティブインダクタ|CMOS|trans-impedance amplifier|RGC|TIA|active inductor|CMOS

要約(日本語): 以前提案したアクティブインダクタを用いた,シャントシリーズ型RGC-TIAの素子値を検討し,そのシミュレーション評価を行った。提案TIAを0.18 um標準CMOSを用いて設計し,シミュレーション評価したところ,60.7 dBΩの利得と7GHzの-3dB周波数の特性を有し,最大で10Gbps NRZのアイ開口を確認できた。

要約(英語): In this paper, we examined the element values of our previoulsy proposed shunt-series type RGC-TIA using active inductor and evaluated from the SPICE simulation. The proposed TIA was designed using 0.18 um standard CMOS. Fom the simulation results, it was possible to confirm an eye opening of up to 10 Gbps NRZ with having a gain of 60.7 dBohm and a characteristic of -3 dB frequency of 7 GHz.

本誌: 2021年12月25日電子回路研究会

本誌掲載ページ: 1-4 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 868 Kバイト

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