SiC素子を用いた電力用アクティブフィルタの高周波化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SMF22005

グループ名: 【D】産業応用部門 スマートファシリティ研究会

発行日: 2022/01/04

タイトル(英語): High frequency switching active power filter using SiC device

著者名: 河合 勇貴(東京都立産業技術高等専門学校),石橋 正基(東京都立産業技術高等専門学校),阿部 晃大(東京都立産業技術高等専門学校)

著者名(英語): Yuki Kawai(Tokyo Metropolitan College of Industrial Technology),Masaki Ishibashi(Tokyo Metropolitan College of Industrial Technology),Kodai Abe(Tokyo Metropolitan College of Industrial Technology)

キーワード: 高調波|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|ＡＰＦ（Ａｃｔｉｖｅ　Ｐｏｗｅｒ　Ｆｉｌｔｅｒ）|高周波スイッチング|リアクトル|損失低減|Harmonic|SiC-MOSFET|APF(Active Power Filter)|High frequency switching|Reactor|Loss reduction

要約(日本語): 配電系統に接続された無数の負荷機器や，近年導入が進んでいる太陽光発電等の分散型電源など，不特定の高調波発生源に対してはアクティブフィルタ（APF）が有効である．しかし，APFには高コストや装置大型化等の問題点があり、導入があまり進んでいない。本研究では装置の小型化に向けてスイッチング素子にSiC-MOSFET適用し、損失を抑制しつつスイッチング周波数の高周波化によるリアクタンスの低減化を目指す。

要約(英語): The purpose of this paper is 「High frequency switching active power filter using SiC device」. The APF is effective to preserve the power distribution system regarding unspecified harmonic source( e.g. PV). However, the APF fairly was not installed because it have problems, high cost, larger equipments and so on. So this study suggests using SiC-MOSFET as a switching device. It can be higher switching frequency(Fc). And it cause reduction of current ripple leads to miniaturization of reactor. These effects were also confirmed on simulation, and actual experiment of the mini-model is shown comparison and investigation with conventional device.

本誌: 2022年1月7日スマートファシリティ研究会

本誌掲載ページ: 23-26 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 675 Kバイト