750-V 100-kW 16-kHz DABコンバータのスイッチング損失の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC22005,MD22005

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2022/01/24

タイトル(英語): A Discussion on Switching Losses of the 750-V 100-kW 16-kHz DAB Converter

著者名: 羽根田 崚(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学)

著者名(英語): Ryo Haneda(Tokyo Institute of Technology),Hirofumi Akagi(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: ＤＡＢコンバータ|損失分離|リンギング|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴモジュール|スイッチング損失|零電圧スイッチング|dual-active-bridge (DAB) converters|power-loss breakdown|ringings|SiC-MOSFET modules|switching losses|zero-voltage switching (ZVS)

要約(日本語): 本論文では，SiC-MOSFETを使用した750-V 100-kW 16-kHz双方向絶縁形DC-DCコンバータ（DABコンバータ）のスイッチング損失について検討を行う。スイッチング損失は厳密に言うと，MOSFETで発生するリアルのスイッチング損失と，寄生成分に起因する振動に付随した損失に分けられる。実験によりスイッチング損失の総和と，SiCモジュールのスイッチング損失を測定し，導出した近似式から算出した振動による付随的な損失が無視できないことを実証する。

要約(英語): This paper discusses switching losses of the 750-V 100-kW 16-kHz bidirectional isolated dual-active-bridge (DAB) dc-to-dc converter using SiC-MOSFET/SBD H-bridge modules. Strictly speaking, the switching losses can be divided into a “real” switching loss consumed inside the SiC modules and an “adjunct” ringing loss caused by voltage and current ringings following each switching of the SiC-MOSFETs. Experimental results verify that the ringing loss calculated by the approximately-derived equations is not negligible in switching-loss characterization.

本誌: 2022年1月27日-2022年1月28日半導体電力変換/モータドライブ合同研究会-1

本誌掲載ページ: 21-26 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,617 Kバイト