ゲート磁気結合方式を用いたSiC-MOSFET/SiC-SBD パワーモジュール直列駆動に関する研究

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC22009,MD22009

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2022/01/24

タイトル(英語): Study on Driving Technique for Series-connected SiC-MOSFETs/SiC-SBDs Power Modules Using

著者名: 中西 達哉(東京工業大学),萩原 誠(東京工業大学),浦壁 隆浩(東京工業大学),中嶋 純一(三菱電機株式会社),檜垣 優介(三菱電機株式会社),地道 拓志(三菱電機株式会社)

著者名(英語): Tatsuya Nakanishi(Tokyo Institute of Technology),Makoto Hagiwara(Tokyo Institute of Technology),Takahiro Urakabe(Tokyo Institute of Technology),Junichi Nakashima(Mitsubishi Electric Corporation),Yusuke Higaki(Mitsubishi Electric Corporation),Takushi Jimic

キーワード: ゲート磁気結合方式|素子直列接続|ゲート駆動回路|gate-magnetic-coupling method|series connection of power modules|gate drive circuit

要約(日本語): 本研究では、3.3kV/750A、SiC-MOSFETとSiC-SBDで構成されたスイッチング素子を直列に接続し、ゲート磁気結合方式で動作させた場合について検証する。ゲート磁気結合方式では、直列駆動のゲート線をトランスによって磁気的に結合させ、スイッチング時に流れるゲート電流のタイミングを同期し、素子電圧分担を均等化できる。回路シミュレーションにより、スイッチングに関する回路定数を変化させた場合での回路動作を確認する。

要約(英語): This paper focuses on the performance of series-connected power modules using SiC-MOSFETs/SiC-SBDs rated at 3.3 kV/750 A where the gate-magnetic-coupling method is applied. It is characterized in that the two gate drive circuits are magnetically coupled by a single transformer, and the gate currents during switching are synchronized to balance the device voltages. This paper evaluates the voltage unbalance and switching loss during switching operation using computer simulation where the circuit parameters related to switching are varied.

本誌: 2022年1月27日-2022年1月28日半導体電力変換/モータドライブ合同研究会-1

本誌掲載ページ: 45-50 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,037 Kバイト