SiCインバータの立ち上がり時間を考慮した適切なサンプリング周波数

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG22014

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2022/01/25

タイトル(英語): Appropriate sampling frequency considering the rise time of the SiC inverter

著者名: 道家 大貴(岐阜大学),尹 己烈(岐阜大学)

著者名(英語): daiki douke(Gifu University),kyyoul yun(Gifu University)

キーワード: ＳｉＣ素子|インバータ励磁|磁気特性|サンプリング周波数|SiC device|inverter excitation|magnetic properties|sampling frequency

要約(日本語): パワーデバイスの発展によりモータの制御に利用されるインバータはSi-IGBTからSiC-MOSFETを使ったものに変わりつつある。SiC-MOSFETは非常にスイッチング速度が速いため、正確にその特性を測定するためには高いサンプリング周波数を持ったオシロスコープが必要である。今研究ではサンプリング周波数の違いによる磁気特性の変化を明らかにするために試料をインバータ励磁し、オシロスコープのサンプリング周波数を500、50、5MS/sに変えて測定を行った。

要約(英語): With the development of power devices, the inverters used to control motors are changing from Si-IGBT to those using SiC- MOSFET. Since SiC- MOSFET have extremely high switching speeds, an oscilloscope with a high sampling frequency is required to accurately measure their characteristics. In this study, the sample was excited by an inverter to clarify the change in magnetic characteristics due to the difference in sampling frequency, and the sampling frequency of the oscilloscope was changed to 500, 50, and 5 MS / s for measurement.

本誌: 2022年1月28日-2022年1月29日マグネティックス研究会-1

本誌掲載ページ: 11-14 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 630 Kバイト