シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD22017

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2022/03/06

タイトル(英語): SiC Integrated Circuits and Pixel Devices for Extreme-Environment Applications

著者名: 黒木 伸一郎(広島大学),志摩 拓真(広島大学),目黒 達也(広島大学),Vuong Van Cuong(広島大学),武山 昭憲(量子科学技術研究開発機構),牧野 高紘(量子科学技術研究開発機構),大島 武(量子科学技術研究開発機構),児島 一聡(産業技術総合研究所),田中 保宣(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Shin-Ichiro Kuroki(Hiroshima University),Takuma Shima(Hiroshima University),Tatsuya Meguro (Hiroshima University),Cuong Vuong Van(Hiroshima University),Akinori Takeyama(National Institutes for Quantum Science and Technology),Takahiro Makino(National Insti

キーワード: シリコンカーバイド|集積回路|イメージセンサ|耐放射線|高温|Silicon Carbide|Integrated Circuits|Image Sensor|Radiation Hardened|High Temperature

要約(日本語): シリコンカーバイド半導体を用いた極限環境用集積回路およびイメージセンサの研究開発を進めている。これらにより原子力発電所や宇宙開発などで必要とされる耐放射線性を有し、さらに電気自動車（EV）や産業用途で求められる高温での駆動が可能なエレクトロニクスを構築しようとしている。現在の研究開発状況を紹介し、また今後を展望する。

要約(英語): We are developing silicon-carbide(SiC) integrated circuits and image sensors for extreme-environment applications, such as nuclear power station, space application, and electric vehicle (EV). In this presentation, I’d like to share our recent results on the electronics and discuss the future vision and plans.

本誌: 2022年3月9日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 1-3 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,169 Kバイト