Ku帯マルチキャリア対応衛星通信地球局用内部整合型GaN HEMT増幅器

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD22019

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2022/03/06

タイトル(英語): Internally Matched GaN HEMT Power Amplifiers for Ku-Band Multi-Carrier Satellite Communications

著者名: 杉谷 拓海(三菱電機),吉岡 貴章(三菱電機),山崎 貴嗣(三菱電機),野上 洋一(三菱電機)

著者名(英語): Takumi Sugitani(MITSUBISHI ELECTRIC),Takaaki Yoshioka(MITSUBISHI ELECTRIC),Takashi Yamasaki(MITSUBISHI ELECTRIC),Yoichi Nogami(MITSUBISHI ELECTRIC)

キーワード: ＧａＮ|電力増幅器|Ｋｕ帯|相互変調歪み|衛星通信|マルチキャリア|Gallium Nitride|Power Amplifier|Ku-band|Intermodulation Distortion|Satellite Communication|Multi-Carrier

要約(日本語): 本報告では、マルチキャリア衛星通信対応のKu帯70W GaN HEMTと30 W GaN HEMTについて述べる。増幅器の広離調化のため、整合回路には3つの差周波短絡回路を装荷し、その有効性を検証するため、出力電力の異なる2つの増幅器を設計および製造した。評価の結果、離調周波数が1MHZ～400 MHzにおいて3次相互変調歪み（IMD3）-25 dBc以下という広い周波数範囲にわたり、低歪み特性を実現した。これらの結果は、衛星通信システムにおけるKu帯GaN 増幅器において世界最高レベルに位置づけられる。

要約(英語): This report describes the 70- and 30-W-class Ku-band internally matched Gallium Nitride (GaN) power amplifiers (PAs) for multi-carrier satellite communications. To realize a wide offset frequency operation, our proposed matching circuit includes three different types of difference-frequency short circuits. To verify the short-circuit effectiveness, two different power classes, Ku-band GaN PAs were designed and fabricated. The measurements show that the two GaN PAs have a record output power level over a wide frequency range of 1 MHz to 400 MHz or higher under the condition of a low third-order intermodulation distortion (IMD3) of less than ?25 dBc, compared to previously reported Ku-band GaN PAs used for multi-carrier satellite communications.

本誌: 2022年3月9日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 11-16 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,137 Kバイト