AlNゲート絶縁体を用いたAlGaN/GaN MISデバイスにおける絶縁体/半導体界面層挿入の効果

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD22021

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2022/03/06

タイトル(英語): Effects of insulator/semiconductor interfacial layer insertion in AlGaN/GaN MIS devices with AlN gate insulators

著者名: 松山 秀幸(北陸先端科学技術大学院大学),Deng Yuchen(北陸先端科学技術大学院大学),鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)

著者名(英語): Hideyuki Matsuyama(Japan Advanced Institute of Science and Technology),Yuchen Deng(Japan Advanced Institute of Science and Technology),Suzuki Toshi-kazu(Japan Advanced Institute of Science and Technology)

キーワード: ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＭＩＳデバイス|ＡｌＮゲート絶縁体|界面層|AlGaN/GaN MIS device|AlN gate insulator|interfacial layer

要約(日本語): AlNゲート絶縁体を有するAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体（MIS）デバイスにおいて，絶縁体/半導体界面層の挿入の効果を調べた．界面層としてAl，Ti，Geの極薄自然酸化膜を採用した．MISデバイスの容量-電圧特性から，界面固定電荷密度とバンドオフセットの変化を介した閾値電圧変化が界面層に依存して生じることがわかった．

要約(英語): We investigated the effect of insulator/semiconductor interfacial layer insertion in AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor (MIS) devices with AlN gate insulators. A very thin natural oxide of Al, Ti, or Ge was employed as an interfacial layer. From capacitance-voltage characteristics of MIS devices, we found that, depending on the interfacial layer, the threshold voltage is modified via the interface fixed charge density and the band offsets.

本誌: 2022年3月9日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 23-27 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,634 Kバイト