多端子ホール素子によるオーミック金属下半導体の特性評価法とAlGaN/GaNヘテロ構造への適用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD22022

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2022/03/06

タイトル(英語): Characterization method of semiconductors under Ohmic-metals by using multi-probe Hall devices and its application to AlGaN/GaN heterostructures

著者名: 瓜生 和也(北陸先端科学技術大学院大学, アドバンテスト研究所),木内 翔太(北陸先端科学技術大学院大学),佐藤 拓(アドバンテスト研究所),鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)

著者名(英語): Kazuya Uryu(Japan Advanced Institute of Science and Technology, Advantest Laboratories Ltd.),Shota Kiuchi(Japan Advanced Institute of Science and Technology),Taku Sato(Advantest Laboratories, Ltd.),Toshi-kazu Suzuki(Japan Advanced Institute of Science and

キーワード: ＡｌＧａＮ／ＧａＮ|多端子ホール測定|オーミックコンタクト|AlGaN/GaN|multi-probe Hall measurement|Ohmic contact

要約(日本語): 半導体内部の電気特性は, オーミック金属形成により変化する. これまでに, オーミック金属下における半導体のシート抵抗測定方法は知られていたが, キャリア密度および移動度を評価する手法はなかった. 本研究では, 多端子ホール素子によりオーミック金属下半導体のシート抵抗に加え, キャリア密度と移動度を評価する手法を開発した. 本手法をAlGaN/GaNヘテロ構造へ適用し, オーミック金属の形成前後および除去後の特性を明らかにした.

要約(英語): Electrical properties of semiconductors are modified by formation of Ohmic-metals. The end contact resistance method and its equivalent method can measure only the sheet resistance, but cannot evaluate the carrier concentration and mobility. In this work, by using multi-probe Hall devices, we developed a method to characterize the carrier concentration and mobility under Ohmic-metals. Applying the method to AlGaN/GaN heterostructures, we elucidated the sheet resistance, the sheet electron concentration, and the electron mobility before and after Ohmic-metal formation, and also after Ohmic-metal removal.

本誌: 2022年3月9日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 29-34 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,504 Kバイト