GaN HEMTを用いたGated-Anodeダイオードのマイクロ波整流特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD22024

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2022/03/06

タイトル(英語): Microwave Rectifier Characteristics of Gated-Anode GaN HEMT based Diode

著者名: 分島 彰男(名古屋工業大学),土屋 洋一(名古屋工業大学),安藤 裕二(名古屋大学),高橋 英匡(名古屋大学),新田 州吾(名古屋大学),柳生 栄治(三菱電機),林 宏暁(三菱電機),伊東 健治(金沢工業大学),坂井 尚貴(金沢工業大学)

著者名(英語): Akio Wakejima(Nagoya Institute of Technology),Yoichi Tsuchiya(Nagoya Institute of Technology),Yuji Ando(Nagoya Univ.),Hidemasa Takahashi(Nagoya Univ.),Shugo Nitta(Nagoya Univ.),Eiji Yagyu(Mitsubishi Electric Corporation),Hiroaki Hayashi(Mitsubishi Electri

キーワード: ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＨＥＭＴ|ゲーティッドアノード・ダイオード|マイクロ波整流器|AlGaN/GaN HEMT|Gated-anode diode|Microwave rectifier

要約(日本語): ノーマリ―オフ特性を有するAlGaN/GaN HEMTならびに、そのHEMTのゲートとドレインをショートさ せた Gated-Anode ダイオードをマイクロ波無線電力伝送用に開発した。_x000D_ 本講演では、その構造、ダイオードのDC特性、高周波、マイクロ波整流特性を紹介する。

要約(英語): We have developed a gated-anode diode using a normally-off AlGaN/GaN HEMT. In this presentation, a structure, DC, and RF characteristics of the diode and its microwave performance will be introduced._x000D_

本誌: 2022年3月9日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 41-45 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,123 Kバイト