GaNとSiCを一体化したハイブリッド型HEMTの研究開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD22025

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2022/03/06

タイトル(英語): Development of hybrid HEMT with monolithically integrated GaN and SiC

著者名: 中島 昭(産業技術総合研究所),平井 悠久(産業技術総合研究所),三浦 喜直(産業技術総合研究所),原田 信介(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Akira Nakajima(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hirohisa Hirai(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Yoshinao Miura(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Shinsuke Har

キーワード: 窒化ガリウム|炭化ケイ素|モノリシック集積|高電子移動度トランジスタ|ボディダイオード|ハイブリッド型ＨＥＭＴ|GaN|SiC|Monolithic integration|HEMT|Body diode|hyHEMT

要約(日本語): 我々は、SiC-PiNダイオード上にGaN-HEMTを集積化したハイブリッド型トランジスタ(hyHEMT)を提案し、その研究開発を進めている。そのコンセプト実証のため、4インチSiC基板上へhyHEMTの試作を行った。試作したデバイスは、オン抵抗が47Ωmmであり、かつ1.2kVの非破壊降伏を示した。GaNの高い通電能力と、SiCの堅牢なアバランシェ降伏が得られることが分かった。

要約(英語): We have proposed hybrid HEMT (hyHEMT) concept of monolithic integration of a GaN-HEMT on SiC PiN diode. To prove this concept, we developed hyHEMTs on 4-inch SiC substrates. Measured on-resistance was 47 ohm-mm and non-destructive breakdown voltage was over 1.2kV. The hyHEMTs have high conductivity in GaN and also robust avalanche breakdown in SiC.

本誌: 2022年3月9日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 47-50 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,021 Kバイト