SiCのMHz動作に追従可能なアクティブゲートドライバの提案と実測評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE22013,PSE22033,SPC22061

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2022/03/07

タイトル(英語): An Active Gate Driver Capable of MHz-switching of SiC Transistors

著者名: 野池 峻平(京都工芸繊維大学),古田 潤(京都工芸繊維大学),小林 和淑(京都工芸繊維大学)

著者名(英語): Shumpei Noike(Kyoto Institute of Technology),Jun Furuta(Kyoto Institute of Technology),Kazutoshi Kobayashi(Kyoto Institute of Technology)

キーワード: アクティブゲートドライバ|ＳｉＣ|高速スイッチング|スイッチング損失|リンギング|サージ|active gate driver|SiC|high-speed switching|switching loss|ringing|surge

要約(日本語): SiCデバイスはSiデバイスより高速動作可能で、電力変換回路の高効率化を実現できる。一方で、回路中に生じるリンギングやサージがより顕著となる問題が指摘されている。一般的にリンギングやサージの低減は電力変換効率とのトレードオフであるが、近年はアクティブゲートドライバ (AGD) による対策法が提案されている。本稿ではSiCデバイスを対象としてMHz動作に追従可能なAGDを提案し、実測評価を行う。

要約(英語): SiC devices can operate over 1 MHz switching speed and increase the efficiency of power conversion circuits. However, the switching speed over 1 MHz induces larger ringings and surges than Si devices. Even if ringings and surges are suppressed, power conversion efficiency decreases. To overcome these issues, active gate drivers (AGDs) have been proposed to achieve higher conversion efficiency with lower ringings and surges. In this paper, we proposed and evaluated an AGD that can control SiC devices over 1 MHz.

本誌: 2022年3月10日-2022年3月11日電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 71-76 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,218 Kバイト