デジタルゲートドライバ IC を用いた ゲート振幅 2 回制御による 2 並列接続 SiC MOSFET の ドレイン電流均一化とスイッチング損失増加の抑制

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE22015,PSE22035,SPC22063

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2022/03/07

タイトル(英語): Drain Current Equalization and Suppression of Switching Loss Increase in Two-Parallel Connected SiC MOSFETs by Twice Changing Gate Amplitude Control Using Digital Gate Driver IC

著者名: 堀井 康平(東京大学),畑 勝裕(東京大学),和田 圭二(東京都立大学),大村 一郎(九州工業大学),高宮 真(東京大学)

著者名(英語): Horii Kohei(The University of Tokyo),Hata Katsuhiro(The University of Tokyo),Wada Keiji(Tokyo Metropolitan University),Ichiro Omura(Kyushu Institute of Technology ),Makoto Takamiya(The University of Tokyo)

キーワード: 並列接続|パワーデバイス|ＤＣ電流|サージ電流|ゲートドライバ|Parallel connected|Power device|DC current|Surge current|Gate driver

要約(日本語): 1入力2出力デジタルゲートドライバICを用いた、並列接続された2つのSiC MOSFETのDC電流とサージ電流を均一化するためのゲート振幅2回制御を提案、実証を行った。 300V，120Aのダブルパルステストでは、提案する2回変化ゲート振幅制御により、従来のゲート駆動方式に比べ、DC電流不均衡を48Aから3.1Aへ94％、サージ電流を42Aから1.9Aへ95％低減した。また、従来のゲート振幅1回制御に比べ、スイッチング損失を 4.97 mJ から 1.96 mJ へ 61 % 低減した。

要約(英語): Twice changing gate amplitude control to equalize the DC current and the surge current in two parallel connected SiC MOSFETs using a single-Input dual-output (SIDO) digital gate driver (DGD) IC is proposed and demonstrated. In the double pulse test at 300 V and 120 A, the proposed twice changing gate amplitude control reduced the DC current imbalance by 94 % from 48 A to 3.1 A and the peak surge current by 95 % from 42 A to 1.9 A compared with the conventional gate driving method. Compared to a conventional once changing gate amplitude control, the proposed gate driving method reduced switching loss reduced from 4.97 mJ to 1.96 mJ by 61 %.

本誌: 2022年3月10日-2022年3月11日電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 83-87 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,035 Kバイト