高精度な過渡解析に向けたスイッチング波形によるパワーMOSFETのゲート入力容量測定手法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE22016,PSE22036,SPC22064

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2022/03/07

タイトル(英語): A Method for Characterizing Gate Input Capacitance of Power MOSFETs Using Switching Waveforms for High Accuracy Transient Analysis

著者名: 西谷 洋太(奈良先端科学技術大学院大学),新谷 道広(奈良先端科学技術大学院大学),井上 美智子(奈良先端科学技術大学院大学),佐藤 高史(京都大学)

著者名(英語): Yota Nishitani(Nara Institute of Science and Technology),Michihiro Shintani(Nara Institute of Science and Technology),Michiko Inoue(Nara Institute of Science and Technology),Takashi Sato(Kyoto University)

キーワード: パワーＭＯＳＦＥＴ|回路シミュレーション|入力容量|過渡解析|power MOSFET|circuit simulation|input capacitance|transient analysis

要約(日本語): パワーMOSFETの入力容量は、スイッチング波形を決定する重要な特性である。本研究では、ターンオンとターンオフのスイッチング波形から、入力容量を測定する手法を提案する。既存手法と異なりスイッチング波形からモデル化に必要な特性を容易に抽出できる。ターンオンとターンオフ波形の異なる容量特性を単一条件で安定して測定できるため、より高精度な過渡解析が可能となる。

要約(英語): The input capacitance of power MOSFET is an important characteristic that determines the switching behavior of power converters. This paper proposes a novel method to characterize the input capacitance from the turn-on and turn-off switching waveforms. As opposed to existing methods, the characteristics required for modeling can be easily extracted from the switching waveform. The different capacitance characteristics of turn-on and turn-off waveforms can be measured consistently in a single setup, enabling more accurate transient analysis.

本誌: 2022年3月10日-2022年3月11日電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 89-94 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,183 Kバイト