PINダイオードの逆回復電流を考慮したIGBTゲートノイズ電圧の実験検証

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE22017,PSE22037,SPC22065

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2022/03/07

タイトル(英語): Experimental Verification of the Gate-Noise Voltage in an IGBT with the Reverse-recovery Current of a PIN Diode

著者名: 高木 海(九州工業大学),長谷川 一徳(九州工業大学)

著者名(英語): Kai Takagi(Kyushu Institute of Technology),Kazunori Hasegawa(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: ゲートノイズ|誤点弧|逆回復電流|インバータ|寄生パラメータ|ＩＧＢＴ|Gate-noise|shoot- through|Reverse-recovery current|inverter|parasitic parameters|IGBTs

要約(日本語): 本論文ではPINダイオードの逆回復電流がインバータ内のIGBTゲートノイズ電圧に与える影響を解明する。理論解析の結果、SBDを使用する場合とは異なり端子間容量に起因する共振が発生しないため、ゲートノイズ電圧は寄生インダクタンス、逆回復電流の電流変化率及びスイッチングスピードに依存することを確認した。1.7kV,260A定格のIGBTモジュールを使用したスイッチング試験環境を構築し、理論解析の妥当性を実証した。

要約(英語): This paper reveals the effect of the reverse-recovery current of a PIN diode on the gate-noise voltage of an IGBT in an inverter. Theoretical analysis reveals that the di/dt of the reverse-recovery current, the switching speed of the IGBT and parasitic inductances affect the gate-noise voltage unlike SBD because resonance does not occur due to junction capacitances. Its validity was confirmed by an experimental setup consisting of a 1.7-kV 260-A IGBT module.

本誌: 2022年3月10日-2022年3月11日電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 95-100 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,424 Kバイト