ゲイン－位相特性および過渡応答測定に基づく電圧・電流プローブの性能評価に関する一検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EMC22002

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 電磁環境研究会

発行日: 2022/03/08

タイトル(英語): A study on the evaluation of voltage / current probe performance based on the gain-phase characteristics and transient response measurement

著者名: 井渕 貴章(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Takaaki Ibuchi(Osaka University),Tsuyoshi Funaki(Osaka University)

キーワード: 電圧プローブ|電流プローブ|Ｓパラメータ|ゲイン－位相特性|過渡応答測定|voltage probe|current probe|S-parameter|gain-phase characteristics|transient response measurement

要約(日本語): パワー半導体デバイスの高速・高周波数スイッチング動作に伴い、電力変換回路における電磁雑音源特性や高周波鉄損の評価において、オシロスコープを用いた電圧・電流の広帯域・高精度測定が課題となっている。本報告では、Sパラメータ測定に基づいて光絶縁プローブ、カレントトランス等の電圧・電流プローブのゲイン－位相特性を評価し、プロービング手法が過渡電圧・電流の測定精度に及ぼす影響に関する実験的検討結果を示す。

要約(英語): This report studies the characterization of the voltage and current probe for digital oscilloscope based on its gain-phase characteristics and the measurement accuracy of transient response.

本誌: 2022年3月11日電磁環境研究会

本誌掲載ページ: 5-10 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 4,758 Kバイト