MOSFETのドレイン-ソースとゲート-ドレイン間の非線形寄生容量を考慮したEF_2級発振器の設計

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC22141

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2022/07/11

タイトル(英語): Design of Class-EF_2 Oscillator with MOSFET Nonlinear Drain-to-Source and Gate-to-Drain Parasitic Capacitances

著者名: 内田 東(千葉工業大学),中島 樹咲果(千葉工業大学),羅 イ森(千葉工業大学),魏 秀欽(千葉工業大学)

著者名(英語): Azuma Uchida(Chiba Institute of Technology),Kisara Nakajima(Chiba Institute of Technology),Weisen Luo(Chiba Institute of Technology),Xiuqin Wei(Chiba Institute of Technology)

キーワード: ＥＦ＿２　級トポロジー|Ｅ級　ＺＶＳ／ＺＤＳ　条件|高調波成分|Class-EF_2 topology|class-E ZVS/ZDS conditions|harmonic component

要約(日本語): 本論文では, MOSFETのドレイン-ソース間およびゲート-ドレイン間の非線形寄生容量を考慮したEF_2級発振器の数値設計手法を提案した。_x000D_ 本設計手法を用いることで, 微調整を施すことなくE級スイッチング条件を満足する設計値を得ることができる。_x000D_ 具体的な回路を設計し, LTspiceによるシミュレーションと回路実験を行う。提案した設計手法の有効性を数値計算結果と, シミュレーションおよび実験結果と比較することにより示した。_x000D_

要約(英語): In this paper, a numerical design method for the class-EF_2 oscillator with MOSFET nonlinear drain to-source and gate-to-drain parasitic capacitances is proposed. By using this design method, it is possible to obtain accurate design values, which satisfy the class-E switching conditions. A design example of the class-EF_2 oscillator is shown along with its LTspice-simulation and experimental results. The validity of the proposed design method is tested by comparing the numerical results with the simulated and experimental ones.

本誌: 2022年7月14日-2022年7月15日半導体電力変換研究会-2

本誌掲載ページ: 13-16 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,194 Kバイト