準大気圧プラズマ源とMOガス源の統合モジュールを備えた MOCVDによる窒化インジウムの成長

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD22016

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2022/07/19

タイトル(英語): Crystal growth of InN by MOCVD with the integrated module combined with quasi-atmospheric pressure plasma source and MO gases source

著者名: 熊谷 直人(産業技術総合研究所),榊田 創(産業技術総合研究所),山田 永(産業技術総合研究所),清水 鉄司(産業技術総合研究所),王 学論(産業技術総合研究所/名古屋大学)

著者名(英語): Kumagai Naoto(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Sakakita Hajime(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Yamada Hisashi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Shimizu Tets

キーワード: プラズマＭＯＣＶＤ|有機金属化学気相成長法|ＩｎＧａＮ|ＩｎＮ|窒化物半導体|plasma MOCVD|MOCVD|InGaN|InN|nitride semiconductor

要約(日本語): プラズマ源とMOガス源を組み合わせた統合モジュールを備えた新しいプラズマMOCVDによりInN薄膜を成長した。 N2プラズマ、NH3プラズマ、及びNH3ガスの3種類の窒素ラジカル源で成長しInN膜を、XRD及びPL評価により比較した。窒素プラズマで成長させたInNの結晶性に対するTMI供給速度依存性を調べ、金属インジウムの析出を抑制するための成長条件について実効的なV/III比の観点から議論した。

要約(英語): InN films were grown by the novel plasma MOCVD system with the integrated module combined with the plasma source and MO gases sources. InN films grown with three types of nitrogen radical sources: nitrogen plasma, ammonia plasma, and ammonia gas were compared by XRD and PL characterization. TMI supply rate dependence on quality of InN grown with nitrogen plasma were examined and discussed on the growth condition to suppress the segregation of metallic indium from the viewpoint of the effective V/III ratio.

本誌: 2022年7月22日光・量子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 1-5 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,032 Kバイト