Fe-Gaエピタキシャル薄膜の作製と磁歪特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG22083

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2022/08/01

タイトル(英語): Preparation and magnetostriction of Fe-Ga epitaxial thin films

著者名: 丁 浩(東北大学),関 剛斎(東北大学),遠藤 恭(東北大学),高梨 弘毅(東北大学/日本原子力研究開発機構)

著者名(英語): Hao Ding(Tohoku University),Takeshi Seki(Tohoku University),Yasushi Endo(Tohoku University),Koki Takanashi(Tohoku University/Japan Atomic Energy Agency)

キーワード: Ｆｅ－Ｇａ合金|磁歪|薄膜|スパッタリング|エピタキシャル成長|磁気抵抗効果|Fe-Ga alloy|Magnetostriction|Thin film|Sputtering|Epitaxial growth|Magnetoresistance effect

要約(日本語): 本研究では、マグネトロンスパッタ法を用いてGa組成の異なるFe-Ga薄膜を様々な基板上にエピタキシャル成長し、それらの構造および磁気特性、特に磁気ひずみの組成依存性を明らかにすることを目的とした。成長中の基板温度を400℃とすることにより、GaAs(100)基板およびMgO(100)基板の上にFe80Ga20、Fe70Ga30、Fe50Ga50がエピタキシャル成長することが分かった。MgO(100)基板およびGaAs(100)基板の上に400℃で成膜したFe70Ga30薄膜は、バルクのFe-Ga合金と同程度の磁歪を示すことが分かった

要約(英語): In this presentation we report the development of epitaxial thin films of Fe-Ga grown on various substrates. We discuss the effects of the composition of Ga on the structure and magnetic properties including magnetostriction of Fe-Ga thin films deposited on GaAs(100) and MgO(100). Fe80Ga20, Fe70Ga30, Fe50Ga50 were deposited on GaAs(100) and MgO(100) epitaxially at a substrate temperature of 400℃. Fe70Ga30 grown on GaAs(100) and MgO(100) show large magnetostriction effect which is comparable with that of bulk Fe-Ga.

本誌: 2022年8月4日マグネティックス研究会

本誌掲載ページ: 23-25 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,253 Kバイト