50MHz電力変換回路の電圧時間応答測定におけるプローブ特性の影響に関する検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC22168,MD22103

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2022/09/18

タイトル(英語): The Probing Influences on Measured Voltage in 50 MHz Driven Power Conversion Circuit

著者名: 關 翔太(大阪大学),井渕 貴章(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Shota Seki(Osaka University),Takaaki Ibuchi(Osaka University),Tsuyoshi Funaki(Osaka University)

キーワード: 時間応答測定|高周波|プローブ|５０ＭＨｚ|ＧａＮ|Ｅ級|time response measurement|high-frequency|probe|50MHz|GaN|class-E

要約(日本語): 電力変換回路の高周波駆動が進み、近年では10MHz以上でのパワーデバイスの駆動も盛んに検討されている。電力変換回路の動作評価に不可欠な電圧の時間応答測定には同相除去比と広い帯域を両立する光絶縁差動プローブなどが活用されているが、プローブの特性は高周波電圧時間応答測定に大きな影響を与える。本稿では各種プローブの特性が時間応答測定に与える影響について述べる。

要約(英語): Development of 10 MHz or more high frequency power conversion circuits are underway. Voltage time response measurement is essential to evaluate power conversion circuit operation. Optical isolated differential voltage probe is often used to measure voltage time response because of it’s high CMRR and wide bandwidth. However, the characteristics of voltage probes affect the measured time response in high switching frequency. This paper demonstrates the difficulty of voltage time response measurement by comparing of measurement results of passive single-ended probes with optical isolated differential voltage probes.

本誌: 2022年9月21日-2022年9月22日半導体電力変換/モータドライブ合同研究会

本誌掲載ページ: 139-144 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,212 Kバイト