リングオシレータを用いたMOSFETにおける経年劣化とゲート幅の関係性についての実測評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT22052

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2022/09/26

タイトル(英語): Evaluation of Relationship between Aging Degradation and Gate Width in MOSFETs Using Ring Oscillators

著者名: 千田 敬太(東京理科大学),岸田 亮(東京理科大学),松浦 達治(東京理科大学),兵庫 明(東京理科大学)

著者名(英語): Keita Senda(Tokyo University of Science),Ryo Kishida(Tokyo University of Science),Tatsuji Matsuura(Tokyo University of Science),Akira Hyogo(Tokyo University of Science)

キーワード: リングオシレータ|バイアス温度不安定性（ＢＴＩ）|経年劣化|ゲート幅|ring oscillator|bias temperature instability (BTI)|aging degradation|gate width

要約(日本語): バイアス温度不安定性(BTI)と呼ばれる経年劣化による信頼性問題が顕在化している. BTIのメカニズムを解明するためには, 様々な条件でBTIを実測し評価する必要がある. BTIはゲート長に依存することが知られているが, ゲート幅との関係性を評価した研究は報告されていない. 本稿ではゲート幅の異なるMOSFETで構成したリングオシレータを用いてBTIを実測しゲート幅との関係性を評価した. その結果, ゲート幅が2倍の時5%?8%劣化率が高いことがわかった.

要約(英語): Reliability problems due to aging degradation caused by bias temperature instability (BTI) has become appeared. To further clarify the mechanism of BTI, it is necessary to measure and evaluate BTI under various conditions. BTI depends on gate length of MOSFET, but no study has been reported to evaluate the relationship between BTI and gate width. This study evaluates the relationship between BTI and gate width by measuring test chip including ring oscillators composed of MOSFETs with different gate width. Measurement results show that twice the gate width is more degraded by 5?8%.

本誌: 2022年9月29日-2022年9月30日電子回路研究会

本誌掲載ページ: 39-44 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,528 Kバイト