GHz帯での薄膜MI素子における高インピーダンス変化率への指針

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG22122

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2022/11/07

タイトル(英語): Design for thin-film MI element with higher impedance change ratio at GHz range

著者名: 谷井 雅(岩手大学),菊池 弘昭(岩手大学)

著者名(英語): Masaru Tanii(Iwate University),Hiroaki Kikuchi(Iwate University)

キーワード: 薄膜|磁気インピーダンス|変化率|thin-film|magnetoimpedance|change ratio

要約(日本語): 磁界印加時の透磁率変化と表皮効果、強磁性共鳴に基づくインピーダンス変化を利用したMI素子においては、数?m膜厚により1GHz付近で400%程度の変化率が実現できている。本報告では、主に素子寸法に着目し、大きい変化率を得るための指針について検討した。

要約(英語): Thin-film MI element utilizing impedance change based on magnetic permeability change, skin effect, and ferromagnetic resonance when a magnetic field is applied. Its impedance change ratio reached about 400% around 1 GHz with a film thickness of several micrometers. In this report, we discuss the way of design to obtain a large change ratio, focusing mainly on the element dimensions.

本誌: 2022年11月10日-2022年11月11日マグネティックス研究会

本誌掲載ページ: 7-10 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 533 Kバイト