平行2線MSL上に配置したCo-Zr-Nb膜のクロストーク抑制効果および挿入損失の形状・導電率依存性
平行2線MSL上に配置したCo-Zr-Nb膜のクロストーク抑制効果および挿入損失の形状・導電率依存性
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: MAG22125
グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会
発行日: 2022/11/07
タイトル(英語): Geometries and resistivity dependence on crosstalk suppression and insertion loss of Co-Zr-Nb film placed on parallel two MSLs
著者名: 室賀 翔(秋田大学),田中 元志(秋田大学)
著者名(英語): Sho Muroga(Akita University),Motoshi Tanaka(Akita University)
キーワード: クロストーク|挿入損失|マイクロストリップ線路|磁性膜|負の透磁率|Crosstalk|Insertion loss|Microstrip line|Magnetic film|Negative permeability
要約(日本語): 平行2線マイクロストリップ線路間のクロストークを抑制するためのCo-Zr-Nb膜の設計方法について検討した。電磁界シミュレータを用いて,磁性膜の誘導減結合効果と挿入損失の形状および抵抗率依存性を示した。その結果,磁性膜幅および磁性膜と信号線の距離を適切に設定することにより,目標周波数帯域で十分なクロストーク抑制効果を保ちつつ,挿入損失を低減できる可能性を示した。
要約(英語): A design approach of a Co-Zr-Nb film for crosstalk suppression between parallel two microstrip lines was investigated. Using an electromagnetic field simulator, geometry- and resistivity- dependencies of the inductive decoupling effect and insertion loss of the film were evaluated. As a result, it was shown that by adjusting the width of the magnetic film and the distance between the magnetic film and the signal line, the insertion loss could be reduced with sufficient crosstalk suppression effect in the target frequency range.
本誌: 2022年11月10日-2022年11月11日マグネティックス研究会
本誌掲載ページ: 23-27 p
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 320 Kバイト
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