タンデム法で磁界中成膜したCoFe-フッ化物ナノグラニュラー膜の異方性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG22128

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2022/11/07

タイトル(英語): Anisotropy of CoFe-fluorides type ferromagnetic nanogranular films prepared by tandem sputtering method with induced magnetic field

著者名: 直江 正幸(電磁材料研究所),曽根原 誠(信州大学),松永 温加(信州大学),宮地 幸祐(信州大学),佐藤 敏郎(信州大学),小林 伸聖(電磁材料研究所),荒井 賢一(電磁材料研究所)

著者名(英語): Masayuki Naoe(Research Institute for Electromagnetic Materials),Makoto Sonehara(Shinshu University),Haruka Matsunaga(Shinshu University),Kousuke Miyaji(Shinshu University),Toshiro Sato(Shinshu University),Nobukiyo Kobayashi(Research Institute for Electrom

キーワード: ナノグラニュラー膜|異方性|タンデム法|磁界中成膜|高周波透磁率|統合電圧レギュレータ|Nanogranular films|Anisotropy|Tandem sputtering method|Film deposition with magnetic dc field|High-frequency permeability|Fully Integrated Voltage Regulator

要約(日本語): 高透磁率化を目的としたCoFe-フッ化物ナノグラニュラー膜の無磁界中成膜において、無磁界中のタンデム法による成膜では、CoFe組成に依存して異方性が大きく変化する。本報告では、この依存性を解消するために、二方向の磁界印加で成膜した結果を交えて報告する。

要約(英語): An anisotropy of the CoFe-fluorides type ferromagnetic nanogranular films, prepared by tandem sputtering method without induced magnetic field, are very sensitive to CoFe composition. In order to fix this composition dependence, the authors have tried the film deposition with magnetic dc field applying of two directions.

本誌: 2022年11月10日-2022年11月11日マグネティックス研究会

本誌掲載ページ: 41-46 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 794 Kバイト