SFQ/CMOS ハイブリッドメモリに用いるDC/SFQコンバータの閾値電流の評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MC22018,ASC22023

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 金属・セラミックス/【B】電力・エネルギー部門 超電導機器合同研究会

発行日: 2022/11/12

タイトル(英語): Evaluation of Threshold Current of DC/SFQ Converters for SFQ/CMOS Hybrid Memory

著者名: 森 優也(横浜国立大学),弘中 祐樹(横浜国立大学),吉川 信行(横浜国立大学)

著者名(英語): Yuya Mori(Yokohama National University),Yuki Hironaka(Yokohama National University),Nobuyuki Yoshikawa(Yokohama National University)

キーワード: ＳＦＱ回路|ＤＣ／ＳＦＱコンバータ|ＣＭＯＳ回路|メモリ|SFQ circuit|DC/SFQ converter|CMOS circuit|memory

要約(日本語): SFQ/CMOSハイブリッドメモリにおいて，LDDSの代わりにDC/SFQコンバータを導入することを検討した． DC/SFQコンバータを用いることで，SFQ/CMOSハイブリッドメモリの読み出し動作におけるタイミングマージンを改善することが目的である。本論文では，既存のDC/SFQコンバータをベースに，CMOSメモリからの出力電流を検出するためにDC/SFQコンバータのパラメータを調整し，感度を向上させた．その結果，ハイブリッドメモリに使用可能な程度まで感度が向上することを確認した。

要約(英語): We investigated the utilization of an edge-triggered DC/SFQ converter instead of a level-driven DC/SFQ converter in SFQ/CMOS hybrid memories. The aim is to improve the timing margin in the reading operation of the SFQ/CMOS hybrid memory by using the edge-triggered DC/SFQ converter. In this paper, some parameters of the DC/SFQ converter were optimized based on an existing DC/SFQ converter to enhance its sensitivity enough to sense output current from a CMOS memory. As a result of the optimization, it was confirmed that the sensitivity of the converter was increased to sufficient for the hybrid memory.

本誌: 2022年11月15日金属・セラミックス/超電導機器合同研究会

本誌掲載ページ: 49-54 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,091 Kバイト