V溝型SiCトレンチMOSFET搭載フルSiCパワーモジュール

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD22032,SPC22172

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2022/11/28

タイトル(英語): Full SiC Power Module with 4H-SiC V-groove Trench MOSFETs

著者名: 金田 達志(住友電気工業),日吉 透(住友電気工業),内田 光亮(住友電気工業),倉島 宏実(住友電気工業)

著者名(英語): Tatsushi Kaneda(Sumitomo Electric Industries),Toru Hiyoshi(Sumitomo Electric Industries),Kosuke Uchida(Sumitomo Electric Industries),Hiromi Kurashima(Sumitomo Electric Industries)

キーワード: ＳｉＣパワーモジュール|トレンチＭＯＳＦＥＴ|低損失|SiC Power module|Trench MOSFET|High efficiency

要約(日本語): 当社では、ゲートをV溝型とし、高チャネル移動度で高効率化に有利な結晶面をチャネルに用いた、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を開発してきた。今回、市場に流通する汎用モジュールと形状互換とし、V溝型SiCトレンチMOSFETを搭載した1,200V-400A定格のフルSiCパワーモジュールを開発した。本報告では、当社のMOSFETの特長である低オン抵抗、高速スイッチング特性による低損失化の実現と、国際規格に準拠した製品信頼性について述べる。

要約(英語): We have been developing a metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) with “V-groove shaped” trench structure on the high efficiency crystal face. In this time, we introduce the Full SiC Power Module that has rated voltage of 1200 V and current of 400 A as the Si compatible form-factor. Here, we will report the excellent characteristics of our module, i.e. low on-resistance and high speed switching owing to excellent characteristic of MOSFETs in conjunction with the reliability test result based on the international standards.

本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 1-5 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,103 Kバイト