IGBT高熱負荷工程におけるSiウェハの転位挙動及びプロセス低温化の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD22034,SPC22174

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2022/11/28

タイトル(英語): The Study of Dislocation Propagation in Si Wafer during IGBT High Thermal Budget Process

著者名: 袁 九洋(九州大学),宮村 佳児(九州大学),中野 智(九州大学),齋藤 渉(九州大学),西澤 伸一(九州大学)

著者名(英語): Jiuyang Yuan(Kyushu University),Yoshiji Miyamura(Kyushu University),Satoshi Nakano(Kyushu University),Wataru Saito(Kyushu University),Shin-ichi Nishizawa(Kyushu University)

キーワード: シリコンウェハ|熱処理|拡散プロセス|転位密度|ＩＧＢＴ|Si Wafer|Thermal Budget Process|Diffusion Process|dislocation density|IGBT

要約(日本語): 高品質のシリコンウェハが使用されるがIGBT作製においては、酸化や拡散などの高温熱処理プロセスがあり、ウェハ内部に応力による転位が増殖し、パワーデバイスの性能を劣化させる可能性がある。_x000D_ 本研究では、IGBT作製における7工程の熱処理を連続的に行った場合のウェハ内転位密度変化、及び、拡散プロセスにおける転位増殖の温度依存性を解析し、プロセスの低温化が転位増殖に与える影響を定量的に評価した。

要約(英語): There are several thermal budget processes for Si-IGBT fabrication, which sometimes cause dislocation propagation. The dislocation propagation depends on temperature and time of the process. In this paper, we analyzed the dislocation propagation in Si wafer during Si-IGBT fabrication process. We also calculated the dislocation density during diffusion process with several temperatures and times, and we confirmed that the lower temperature process causes the smaller dislocation propagation which may carry out the good device performance

本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 13-18 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,472 Kバイト