GaNデバイスを適用したMHz駆動インバータの主回路損失解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD22041,SPC22181

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2022/11/28

タイトル(英語): Loss Analysis of Inverter Circuit using GaN devices in Megahertz Operation

著者名: 山口 正通(長岡技術科学大学),日下 佳祐(長岡技術科学大学),伊東 淳一(長岡技術科学大学)

著者名(英語): Masamichi Yamaguchi(Nagaoka University of Technology),Keisuke Kusaka(Nagaoka University of Technology),Jun-ichi Itoh(Nagaoka University of Technology)

キーワード: 高周波インバータ|カロリー法|ＧａＮデバイス|High frequency inverter|Calorimetric power loss measurement|GaN device

要約(日本語): 近年，MHz帯を適用したWPTシステムが注目されている。MHz帯WPTシステムではGaNデバイスが広く用いられるが，放熱用サーマルパッドが小さいため回路の放熱設計が重要となる。放熱設計にあたっては損失量の正確な評価が必要であるが，MHz帯においては理論計算やシミュレーションでの正確な損失解析が難しい。_x000D_ 本論文では，GaNデバイスを使用したMHz駆動負荷共振インバータを対象として，カロリー法に基づく損失測定と損失分離を実施する。

要約(英語): In recently, Wireless Power Transfer (WPT) system in MHz operation is required. The inverter circuit in a WPT system employs GaN devices to achieve the MHz operation. GaN device has a tiny thermal pad. Thus, the design of heat dissipation is important. This paper discusses a power loss, which occurs in the inverter circuit with megahertz operation. The loss is measured accurately by using a calorimetric method in the megahertz operation.

本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 55-60 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,384 Kバイト