窒化物半導体の光電気化学エッチングと電子デバイス応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD22042,SPC22182

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2022/11/28

タイトル(英語): Photo-electrochemical Etching of Nitride Semiconductors and Electron Device Applications

著者名: 佐藤 威友(北海道大学)

著者名(英語): Taketomo Sato(Hokkaido University)

キーワード: 窒化物半導体|ウェットエッチング|光電気化学反応|電子デバイス|Nitride semiconductors|Wet etching|Photoelectrochemical reactions|Electron devices

要約(日本語): 窒化物半導体のウェットエッチングと電子デバイス応用について、著者らの取り組みを中心に紹介します。光電気化学（PEC）反応を用いることにより、加工損傷を与えることなくGaN系材料のウェットエッチングが可能です。PECエッチング法は、AlGaN/GaN HEMTのゲートリセス加工やドライエッチングで導入されたダメージの除去に効果を発揮します。

要約(英語): The wet etching of nitride semiconductors and their electron device applications will be presented, focusing on the authors' approaches. Photoelectrochemical (PEC) reactions can be used to wet etch GaN-based materials without causing process damage. The PEC etching technique is effective in gate-recess etching of AlGaN/GaN HEMTs and removing surface damage caused by dry etching.

本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 61-64 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,480 Kバイト