局所ライフタイムキラー制御によるフィールドプレート（FP）MOSFETの逆回復電荷と漏れ電流のトレードオフ改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD22044,SPC22184

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2022/11/28

タイトル(英語): Demonstration of the field plate power MOSFETs with local life-time killer for improvement of Qrr-IDSS trade-off

著者名: 小林 勇介(東芝),西脇 達也(東芝デバイス＆ストレージ　),可知 剛(東芝デバイス＆ストレージ),下條 亮平(東芝デバイス＆ストレージ),雁木 比呂(東芝),馬場 祥太郎(東芝),福田 大地(東芝),井口 智明(東芝),高尾 和人(東芝)

著者名(英語): Yusuke Kobayashi(Toshiba Corporation),Tatsuya Nishiwaki(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Tsuyoshi Kachi(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Ryohei Gejo(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Hiro Gangi(Toshiba Cor

キーワード: パワーＭＯＳＦＥＴ|フィールドプレート|局所ライフタイム制御|逆回復電荷|プロトン|漏れ電流|Power MOSFET|Field Plate|Local lifetime control|Reverse recovery charge|Proton|Leakage current

要約(日本語): 縦型フィールドプレート（FP）MOSFETの逆回復電荷と漏れ電流のトレードオフ改善にはカソードに局所ライフタイム制御することが有効である。_x000D_ 本研究ではプロトン照射により局所ライフタイム制御したFP-MOSFETを試作し、均一なライフタイム制御に対してトレードオフが改善することを実証した。_x000D_ またFPは内蔵スナバとして機能するため、カソードに欠陥を形成してもサージ電圧が低下することを実証した。_x000D_

要約(英語): Local lifetime killer on the cathode side in FP-MOSFET was demonstrated and realized by proton irradiation from the surface. _x000D_ The cathode damage successfully improves the Qrr-IDSS trade-off compared with uniform damage. _x000D_ Owing to the internal FP snubber, the low Qrr of the cathode damage contributes to achieving a low surge voltage with soft recovery waveforms. _x000D_ The advantage of using local lifetime killer and internal FP snubber together were demonstrated._x000D_

本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 75-80 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,785 Kバイト