デジタルゲートドライバー用パワーモジュールの設計検証
デジタルゲートドライバー用パワーモジュールの設計検証
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: EDD22045,SPC22185
グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会
発行日: 2022/11/28
タイトル(英語): Study on power module design for digital gate driver circuit
著者名: LOU ZAIQI(九州大学),Mamee Thatree(九州大学),畑 勝裕(東京大学),高宮 真(東京大学),西澤 伸一(九州大学),齋藤 渉(九州大学)
著者名(英語): ZAIQI LOU(Kyushu University),Thatree Mamee(Kyushu University),Katsuhiro Hata(University of Tokyo),Makoto Takamiya(University of Tokyo),Shin-ichi Nishizawa(Kyushu University),Wataru Saito(Kyushu University)
キーワード: IGBT モジュール|ゲートインダクタンス|デジタルゲートドライバー|スイッチング損失|ノイズ|ゲートスパイク電圧|IGBT module|gate inductance|digital gate driver|switching loss|noise|gate voltage spike
要約(日本語): デジタルゲートドライバーを使い、ゲートインダクタンスが異なる3 つのIGBTモジュールに対して、ダブルパルススイッチング試験を行った。スイッチング損失とノイズのトレードオフ関係に対するゲートインダクタンスの影響を示す。また、ゲート電圧スパイクのゲート駆動力の依存性とゲートインダクタンスの依存性についても報告する。
要約(英語): By double pulse switching test using a digital gate driver, three types of IGBT modules with different gate inductance were evaluated. The effect of gate inductance on the trade-off relationship between switching loss and is presented. The dependence of gate voltage spike on gate-driving signal change was studied. Furthermore, the influence of gate inductance on the gate voltage spike was also shown.
本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1
本誌掲載ページ: 81-86 p
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,485 Kバイト
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