過電圧パルス印加によるSiC MOSFETの高速スイッチング手法の提案と実測評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD22051,SPC22191

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2022/11/28

タイトル(英語): A Fast Gate Driving Method with an Overvoltage Pulse for SiC MOSFETs

著者名: 野池 峻平(京都工芸繊維大学),古田 潤(京都工芸繊維大学),小林 和淑(京都工芸繊維大学)

著者名(英語): Shumpei Noike(Kyoto Institute of Technology),Jun Furuta(Kyoto Institute of Technology),Kazutoshi Kobayashi(Kyoto Institute of Technology)

キーワード: ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|高速スイッチング|スイッチング損失|Ｇａｔｅ－Ｂｏｏｓｔｉｎｇ|オーバーシュート|リンギング|SiC MOSFET|fast switching|switching loss|gate-boosting|overshoot|ringing

要約(日本語): SiC MOSFETなどの高速動作デバイスは従来のデバイスよりも低損失なスイッチングが可能であるが、スイッチング時にオーバーシュートやリンギングが顕著に現れる。SiC MOSFETによる電力変換回路の高効率化には、デバイスで生じる損失とノイズの両方を低減するゲート駆動手法が必須である。本稿では、スイッチング時にゲート-ソース間に数十 ns 程度の過電圧パルスを印加するGate-Boostingを用いたゲート駆動手法を提案し、実測評価する。

要約(英語): Fast switching devices such as SiC MOSFETs can operate with low switching loss. However, overshoot and ringing increase in the switching transient. To increase conversion efficiency of power converters by SiC MOSFETs, it is mandatory to use a driving method that can realize both low switching loss and low switching noise. In this paper, we proposed and measured a driving method with gate-boosting, which applies an overvoltage pulse of several tens of nanoseconds between gate and source terminals during the switching transient.

本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 1-6 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,549 Kバイト