並列トランスまたは抵抗器などの受動素子を用いたアクティブゲートドライバの実験検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD22052,SPC22192

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2022/11/28

タイトル(英語): Experimental verification of an Active Gate Drive Circuit Using a Parallel Connected Transformer or Resistors

著者名: 野下 裕市(九州大学),庄山 正仁(九州大学)

著者名(英語): Yuichi Noge(Kyushu University),Masahito Shoyama(Kyushu University)

キーワード: ゲート駆動回路|サージ抑制|スイッチング損失低減|gate drive circuit|surge suppression|switching loss reduction

要約(日本語): SiC-MOSFETを駆動するゲートドライバについて，ソース電流の変化率を制御することでスイッチング性能を向上させるアクティブゲートドライバがある。従来は半導体アンプによって実現されていたが，消費電力とコストの課題が大きかった。本論文では並列トランスを用いた簡素な構造でソース電流の負帰還動作を実現する回路について，シミュレーションと実験により効果を検討する。

要約(英語): In this paper, the effect of the souce current feedback AGD using parallel connected transformer is investigated.

本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 7-12 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,509 Kバイト