IGBTターンオフ時の損失―ノイズトレードオフ改善設計

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD22055,SPC22195

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2022/11/28

タイトル(英語): Improvement design for loss-noise trade-off of IGBT turn-off switching

著者名: 藤本 侑里(九州大学),齋藤 渉(九州大学),西澤 伸一(九州大学)

著者名(英語): Yuri Fujimoto(Kyushu University),Wataru Saito(Kyushu University),Shin-ichi Nishizawa(Kyushu University)

キーワード: ＩＧＢＴ|ターンオフ損失|オン電圧|サージ電圧|IGBT|turn-off loss| on-voltage|surge-voltage

要約(日本語): IGBTの表面構造及び裏面構造を変更させることで、ターンオフ損失とノイズ（サージ電圧）のトレードオフ関係を改善させる設計の方向性を検討した。産業用モータや電気自動車などに用いられる1200V系のIGBTをモチーフとし、TCADシミュレーションを用いて検証した。設計パラメータとして、ドリフト層厚さ、メサ幅、バッファ層厚さに注目し、検討を行った。

要約(英語): This paper reports design direction for loss-noise trade-off improvement of IGBT turn-off switching. As a motif, 1200 V-class IGBTs, which are used in industrial motors and electric vehicles, are investigated using TCAD simulation. As design parameters, drift layer thickness, mesa width and buffer layer thickness were focused and their impacts were discussed.

本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 25-30 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,256 Kバイト