ＩＧＢＴにおける電流フィラメントの移動に関するＴＣＡＤでの調査

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD22056,SPC22196

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2022/11/28

タイトル(英語): TCAD investigation of current filament movement in IGBTs

著者名: 諏訪 剛史(東芝デバイス＆ストレージ)

著者名(英語): Takeshi Suwa(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)

キーワード: ＩＧＢＴ|信頼性|電流フィラメント|ＴＣＡＤ|インパクトイオン化モデル|自己発熱|IGBT|reliability|current filament|TCAD|Impact ionization model|self-heating

要約(日本語): IGBTの信頼性設計では、ダイナミックアバランシェ時の電流フィラメントの制御が肝要である。今回、電流フィラメントが動き回る条件下で、インパクトイオン化係数の温度依存性と裏面のホール注入の空間的な変化に関して、電流フィラメントの動きに与える影響をTCADシミュレーションで明確にする。

要約(英語): Controlling the current filament during dynamic avalanche is important for IGBT reliability design. In this study, I clarify the influence of the temperature dependence of the impact ionization coefficients and the spatial variation of the backside hole injection on the movement of the current filament under the condition that the current filament moves around using TCAD simulations.

本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 31-36 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,757 Kバイト